Infineon N-Kanal, MOSFET, 75 A 100 V, 8 Ben, TSDSON, ISZ080N10
- RS-varenummer:
- 235-4882
- Producentens varenummer:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 23.380,00
(ekskl. moms)
Kr. 29.225,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 4,676 | Kr. 23.380,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-4882
- Producentens varenummer:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | ISZ080N10 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.04mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.1mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie ISZ080N10 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.04mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.1mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 6 industriel effekt MOSFET 100 V er designet til anvendelser med høj switching-frekvens, som f.eks. telekommunikation og serverstrømforsyning, men også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solenergi, el-værktøj og droner. Sammenlignet med alternative produkter giver Infineons førende tynde wafer-teknologi betydelige ydeevnefordele.
Lavere og blødere genvindingsladning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Høj lavineeffekt
I overensstemmelse med RoHS
Lavt ledningstab
Lave koblingstab
Miljøvenlig
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 75 A 100 V TSDSON, ISZ080N10
- Infineon N-Kanal 160 A 100 V N iPB
- Infineon N-Kanal 31 A 100 V TSDSON, ISZ230N10
- Infineon N-Kanal 46 A 60 V N TSDSON, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 61 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon N-Kanal 102 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon N-Kanal 223 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon N-Kanal 186 A 25 V N TSDSON, BSZ