Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 100 V, 8 Ben, TSDSON, ISZ230N10
- RS-varenummer:
- 235-4885
- Producentens varenummer:
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 60,14
(ekskl. moms)
Kr. 75,175
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.985 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,028 | Kr. 60,14 |
| 50 - 120 | Kr. 10,592 | Kr. 52,96 |
| 125 - 245 | Kr. 9,874 | Kr. 49,37 |
| 250 - 495 | Kr. 9,14 | Kr. 45,70 |
| 500 + | Kr. 8,542 | Kr. 42,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 235-4885
- Producentens varenummer:
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | ISZ230N10 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.04mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 100W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 3.4mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie ISZ230N10 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.04mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 100W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 3.4mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 6 industriel effekt MOSFET 100 V er designet til anvendelser med høj switching-frekvens, som f.eks. telekommunikation og serverstrømforsyning, men også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solenergi, el-værktøj og droner.
Lavere og blødere genvindingsladning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Høj lavineeffekt
I overensstemmelse med RoHS
Lavt ledningstab
Lave koblingstab
Miljøvenlig
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 31 A 100 V TSDSON, ISZ230N10
- Infineon Type N-Kanal 160 A 100 V N iPB
- Infineon Type N-Kanal 123 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 102 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 61 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 7 A 200 V N TSDSON, BSZ