Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ Nej
- RS-varenummer:
- 259-1478
- Producentens varenummer:
- BSZ019N03LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 18.310,00
(ekskl. moms)
Kr. 22.890,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 3,662 | Kr. 18.310,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 259-1478
- Producentens varenummer:
- BSZ019N03LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9Ω | |
| Kanalform | N | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9Ω | ||
Kanalform N | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon n-kanals effekt MOSFET. Den har en meget lav gate- og udgangsopladning sammen med den laveste modstand i tændt tilstand i små hus, hvilket gør optimos 30 V til det bedste valg til de krævende krav til spændingsregulatorløsninger i servere, datakommunikation og telekommunikation. optimos 30 V produkter er skræddersyet til behovene for strømstyring i bærbare computere med forbedret EMI-adfærd samt øget batterilevetid. Fås i halvbrokonfiguration.
Øget batterilevetid
Forbedret EMI-adfærd gør eksterne snubbernetværk forældede
Omkostningsbesparelse
Pladsbesparende
Reduktion af effekttab
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V, PG-TSDSON-8-FL BSZ019N03LSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 25 V, PG-TSDSON-8-FL BSZ036NE2LSATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 30 V PG-TSDSON-8 FL ISZ019N03L5SATMA1
- Infineon N-Kanal 61 A, PG-TSDSON-8 FL BSZ0506NSATMA1
- Infineon N-Kanal 102 A 30 V, PG-TSDSON-8-FL BSZ0902NSIATMA1
- Infineon N-Kanal 64 A 80 V, PG-TSDSON-8 FL BSZ084N08NS5ATMA1
- Infineon N-Kanal 106 A 30 V PG-TSDSON-8 FL BSZ0902NSATMA1
- Infineon N-Kanal 142 A 30 V PG-TSDSON-8 FL BSZ0901NSIATMA1
