Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 19,75

(ekskl. moms)

Kr. 24,688

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.996 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 9,875Kr. 19,75
20 - 48Kr. 8,49Kr. 16,98
50 - 98Kr. 7,89Kr. 15,78
100 - 198Kr. 7,255Kr. 14,51
200 +Kr. 6,805Kr. 13,61

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-0717
Producentens varenummer:
BSZ084N08NS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

BSZ

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.4mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Gennemgangsspænding Vf

0.86V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

63W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS, IEC 61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.

Højeste systemeffektivitet

Reduceret skifte- og ledningstab

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Relaterede links