Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- RS-varenummer:
- 258-0717
- Producentens varenummer:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,87
(ekskl. moms)
Kr. 36,088
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.996 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 14,435 | Kr. 28,87 |
| 20 - 48 | Kr. 12,415 | Kr. 24,83 |
| 50 - 98 | Kr. 11,595 | Kr. 23,19 |
| 100 - 198 | Kr. 10,62 | Kr. 21,24 |
| 200 + | Kr. 9,95 | Kr. 19,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-0717
- Producentens varenummer:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.4mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.86V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.4mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.86V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.
Højeste systemeffektivitet
Reduceret skifte- og ledningstab
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 80 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 158 A 40 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 123 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 102 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 61 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 7 A 200 V N TSDSON, BSZ