Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ Nej BSZ084N08NS5ATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 6,01

(ekskl. moms)

Kr. 7,512

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.996 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 3,005Kr. 6,01

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-0717
Producentens varenummer:
BSZ084N08NS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

BSZ

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8.4mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

0.86V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

63W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS, IEC 61249-2-21

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80 V industriel effekt MOSFET giver en RDS(on) reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er velegnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i telekommunikations- og serverstrømforsyninger. Desuden kan de også udnyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og adaptere.

Højeste systemeffektivitet

Reduceret skifte- og ledningstab

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Relaterede links