Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ Nej BSZ036NE2LSATMA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 36,21

(ekskl. moms)

Kr. 45,26

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 3,621Kr. 36,21
100 - 240Kr. 3,441Kr. 34,41
250 - 490Kr. 3,366Kr. 33,66
500 - 990Kr. 3,142Kr. 31,42
1000 +Kr. 2,035Kr. 20,35

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
259-1482
Producentens varenummer:
BSZ036NE2LSATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

40A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

BSZ

Emballagetype

TSDSON

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5.1Ω

Kanalform

N

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-40-502

Infineon optimos 25 V produktserien sætter nye standarder for effekttæthed og energieffektivitet for diskrete effekt-MOSFET'er og system i hus. Meget lav gate- og udgangsopladning sammen med den laveste modstand i tændt tilstand i små kabinetter gør optimos 25 V til det bedste valg til de krævende krav til spændingsregulatorløsninger i servere, datakommunikation og telekommunikation. Fås i halvbrokonfiguration (effekttrin 5 x 6). Det minimerer EMI i systemet, hvilket gør eksterne snubbernetværk forældede, og produkterne er lette at designe.

Spar de samlede systemomkostninger ved at reducere antallet af faser i flerfasede konvertere

Reducerer effekttab og øger effektiviteten for alle belastningsforhold

Spar plads med de mindste huse som CanPAK, S3O8 eller system i husløsning

Relaterede links