Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 410 A 30 V Udtømning, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101 SQJ186EP-T1_GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 63,88

(ekskl. moms)

Kr. 79,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.010 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,388Kr. 63,88
100 - 240Kr. 6,006Kr. 60,06
250 - 490Kr. 5,43Kr. 54,30
500 - 990Kr. 5,109Kr. 51,09
1000 +Kr. 4,802Kr. 48,02

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-8671
Producentens varenummer:
SQJ186EP-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

410A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

PowerPAK SO-8L

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.02Ω

Kanalform

Udtømning

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

255W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

43nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.15mm

Bredde

4.9 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Vishay SIDR er N-kanal MOSFET til brug i biler, som kører ved 80 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed.

AEC-Q101 kvalificeret

UIS testet

Relaterede links