Vishay N-Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Udtømning, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8682
- Producentens varenummer:
- SQS140ENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 239-8682
- Producentens varenummer:
- SQS140ENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 214A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.000253Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 197W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 214A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8SLW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.000253Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 197W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET er Gen IV Power N-kanal MOSFET, som kører ved 40 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed.
Lav modstand
AEC-Q101 kvalificeret
UIS testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 214 A 40 V Udtømning PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 141 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 110 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 101 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 58 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal 47 A 30 V MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101