Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W AEC-Q101 SQS405CENW-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 239-8685
- Producentens varenummer:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 126,65
(ekskl. moms)
Kr. 158,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.025 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 5,066 | Kr. 126,65 |
| 250 - 600 | Kr. 4,76 | Kr. 119,00 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,306 | Kr. 107,65 |
| 1250 - 2475 | Kr. 4,054 | Kr. 101,35 |
| 2500 + | Kr. 3,80 | Kr. 95,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8685
- Producentens varenummer:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 214A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8W | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.02Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 197W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 214A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8W | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.02Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 197W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQS er P-kanal MOSFET til brug i biler, som kører ved 40 V og 175 oC temperatur. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed.
AEC-Q101 kvalificeret
UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, SQS AEC-Q101 SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101 SQS460CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 16 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101 SQSA82CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 214 A 40 V Udtømning PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS140ENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 214 A 40 V Udtømning PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 16 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, SQS484CENW AEC-Q101 SQS484CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 141 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS160ELNW-T1_GE3
