Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS840CENW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 735-127
- Producentens varenummer:
- SQS840CENW-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 4,34
(ekskl. moms)
Kr. 5,42
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 4,34 |
| 25 - 99 | Kr. 2,84 |
| 100 + | Kr. 1,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-127
- Producentens varenummer:
- SQS840CENW-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8W | |
| Serie | SQS840CENW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.02Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 33W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8W | ||
Serie SQS840CENW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.02Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 33W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 3.3mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay Power MOSFET tilbyder effektiv, højtydende omskiftningsfunktionalitet, der er skræddersyet til bilapplikationer, hvilket giver pålidelig drift under krævende forhold.
TrenchFET-teknologi sikrer fremragende termisk ydeevne
AEC-Q101-kvalificeret til strenge bilstandarder
Lav modstand ved tænding understøtter høj strømgennemgangseffektivitet
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 16 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 16 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 58 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 16 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 18 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
