Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SQS484CENW AEC-Q101 SQS484CENW-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 200-6850
- Producentens varenummer:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.519,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.148,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,173 | Kr. 6.519,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6850
- Producentens varenummer:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 3.4mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bredde | 1.12 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQS484CENW | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 3.4mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bredde 1.12 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQS484CENW-T1_GE3 er en N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET til brug i biler.
TrenchFET® power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 16 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 141 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS160ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 110 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS142ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 18 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101 SQS486CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 101 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101 SQS141ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 141 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SQS180ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, SQS AEC-Q101 SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101 SQS405CENW-T1_GE3