Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SQS484CENW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 200-6851
- Producentens varenummer:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 262,55
(ekskl. moms)
Kr. 328,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 5,251 | Kr. 262,55 |
| 100 - 200 | Kr. 3,991 | Kr. 199,55 |
| 250 - 450 | Kr. 3,679 | Kr. 183,95 |
| 500 - 1200 | Kr. 2,889 | Kr. 144,45 |
| 1250 + | Kr. 2,732 | Kr. 136,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 200-6851
- Producentens varenummer:
- SQS484CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.12 mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Højde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie SQS484CENW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.12 mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Højde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQS484CENW-T1_GE3 er en N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET til brug i biler.
TrenchFET® power MOSFET
AEC-Q101 kvalificeret
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 16 A 40 V PowerPAK 1212-8W Automotive, TrenchFET® SQS484CENW-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 18 A 60 V PowerPAK 1212-8W, TrenchFET SQS414CENW-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 18 A 150 V PowerPAK 1212-8W, TrenchFET SQSA70CENW-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 18 A 100 V PowerPAK 1212-8W, TrenchFET SQSA12CENW-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 18 A 60 V PowerPAK 1212-8W, TrenchFET SQS660CENW-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 18 A 40 V PowerPAK 1212-8W, TrenchFET SQS486CENW-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 350 A 40 V PowerPAK SO-8L Automotive, TrenchFET® SQJA36EP-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 16 A 12 V, PowerPAK 1212-8W SQS405CENW-T1_GE3
