Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS484CENW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 735-126
- Producentens varenummer:
- SQS484CENW-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 4,56
(ekskl. moms)
Kr. 5,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 28. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 24 | Kr. 4,56 |
| 25 - 99 | Kr. 2,99 |
| 100 - 499 | Kr. 1,67 |
| 500 + | Kr. 1,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-126
- Producentens varenummer:
- SQS484CENW-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQS484CENW | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8W | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0095Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.25W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQS484CENW | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8W | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0095Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.25W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.3mm | ||
Bredde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay Power MOSFET leverer fremragende ydeevne til bilanvendelser og sikrer pålidelig højhastighedsomskiftning med lav modstand ved tænding, hvilket gør den meget effektiv til forskellige strømstyringsopgaver.
Kan håndtere kontinuerlige afløbsstrømme på op til 16 A
Bredt driftstemperaturområde fra -55 til +175 °C
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 12 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS840CENW AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 16 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 16 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 58 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 18 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 18 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
