Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 268-8373
- Producentens varenummer:
- SQS460CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 51,24
(ekskl. moms)
Kr. 64,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.840 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,124 | Kr. 51,24 |
| 50 - 90 | Kr. 5,027 | Kr. 50,27 |
| 100 - 240 | Kr. 3,994 | Kr. 39,94 |
| 250 - 990 | Kr. 3,912 | Kr. 39,12 |
| 1000 + | Kr. 2,603 | Kr. 26,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8373
- Producentens varenummer:
- SQS460CENW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8W | |
| Serie | SQS | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.059Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 27W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.845V | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8W | ||
Serie SQS | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.059Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 27W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.845V | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay dobbelt N-kanal TrenchFET effekt MOSFET til brug i biler er en bly- og halogenfri enhed. Det er MOSFET med enkelt konfiguration, og den er uafhængig af driftstemperatur.
AEC Q101-kvalificeret
I overensstemmelse med ROHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101 SQS460CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 16 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101 SQSA82CENW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, SQS AEC-Q101 SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101 SQS405CENW-T1_GE3
- Vishay Type P-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 44 A 80 V Forbedring 1212-8SLW, SQS AEC-Q101 SQS181ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 192 A 30 V Forbedring 1212-8SLW, SQS AEC-Q101 SQS120ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Kanal 141 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8 AEC-Q101 SQS180ELNW-T1_GE3
