Vishay N-Kanal, MOSFET, 192 A 30 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 280-0029
- Producentens varenummer:
- SQS120ELNW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
(Leveres i pakke af 5)
Kr. 53,86
(ekskl. moms)
Kr. 67,32
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 280-0029
- Producentens varenummer:
- SQS120ELNW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SQS | |
| Emballagetype | 1212-8SLW | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0033Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 88nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 119W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SQS | ||
Emballagetype 1212-8SLW | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0033Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 88nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 119W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay automotive MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
AEC-Q101-kvalificeret
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 192 A 30 V Forbedring 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 44 A 80 V Forbedring 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 214 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 141 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 110 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 101 A -40 V Forbedring PowerPAK 1212-8SLW AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 16 A 80 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 8 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101