Nexperia 2 Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 60 V, 8 Ben, LFPAK56D
- RS-varenummer:
- 240-1817
- Producentens varenummer:
- BUK9K13-60RAX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 85,57
(ekskl. moms)
Kr. 106,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.145 enhed(er) afsendes fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,114 | Kr. 85,57 |
| 50 - 95 | Kr. 16,636 | Kr. 83,18 |
| 100 - 245 | Kr. 16,186 | Kr. 80,93 |
| 250 - 495 | Kr. 15,798 | Kr. 78,99 |
| 500 + | Kr. 15,408 | Kr. 77,04 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-1817
- Producentens varenummer:
- BUK9K13-60RAX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | LFPAK56D | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 28.3mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 64W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype LFPAK56D | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 28.3mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 64W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia dobbelt N-kanal MOSFET med logikniveau i en LFPAK56D-pakke, der anvender applikationsspecifik (ASFET) repetitiv lavine-silikoneteknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til AEC-Q101 til brug ved gentagne lavineopgaver.
Fuldt kvalificeret til brug i biler til AEC-Q101 ved 175 oC
Gentagen lavine normeret til 30 C TJ stigning
Testet til 1 mia. lavine-hændelser
LFPAK kobberklemme-pakketeknologi
Høj robusthed og pålidelighed
Gull wing-ledninger for høj grad af produktion og AOI
Relaterede links
- Nexperia 2 Type N-Kanal 40 A 60 V LFPAK56D
- Nexperia 2 Type N-Kanal 42 A 40 V LFPAK56D
- Nexperia 2 Type N-Kanal 18.2 A 40 V LFPAK56D
- Nexperia 2 Type N-Kanal 98 A 40 V LFPAK56D
- Nexperia 2 Type N-Kanal 42 A 40 V LFPAK56D, PSMN013
- Nexperia Type N-Kanal 40 A 60 V, SOT
- Nexperia Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 20 A 60 V, SOT