Nexperia 2 Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D Nej BUK9V13-40HX

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 45,40

(ekskl. moms)

Kr. 56,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 09. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 9,08Kr. 45,40
50 - 95Kr. 8,198Kr. 40,99
100 - 245Kr. 6,372Kr. 31,86
250 - 495Kr. 6,268Kr. 31,34
500 +Kr. 5,266Kr. 26,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
240-1822
Producentens varenummer:
BUK9V13-40HX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

42A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

LFPAK56D

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

13.6mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

46W

Portkildespænding maks.

-20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Nexperia dobbelt, logisk niveau N-kanal MOSFET i et LFPAK56D hus (halvbro konfiguration), ved hjælp af Trench 9 Trench MOS teknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til AEC-Q101.

LFPAK56D hus med halvbro konfiguration muliggør

Reduceret kompleksitet i printlayout

Print-krympning gennem reduceret komponentstørrelse til 3-faset motordrev

Forbedret systemniveau Rth (j-amb) takket være optimeret pakkedesign

Lavere parasitisk selvinduktion for at understøtte højere effektivitet

Flademål kompatibilitet med LFPAK56D dobbelt hus

Advanced AEC-Q101 kvalitet Trench 9 silikone-teknologi

Lavt effekttab, høj effekttæthed

Overlegen lavine-ydelse

Normeret periodisk lavine

Relaterede links