Nexperia 2 Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D Nej BUK9V13-40HX
- RS-varenummer:
- 240-1822
- Producentens varenummer:
- BUK9V13-40HX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 45,40
(ekskl. moms)
Kr. 56,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,08 | Kr. 45,40 |
| 50 - 95 | Kr. 8,198 | Kr. 40,99 |
| 100 - 245 | Kr. 6,372 | Kr. 31,86 |
| 250 - 495 | Kr. 6,268 | Kr. 31,34 |
| 500 + | Kr. 5,266 | Kr. 26,33 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-1822
- Producentens varenummer:
- BUK9V13-40HX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK56D | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46W | |
| Portkildespænding maks. | -20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK56D | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46W | ||
Portkildespænding maks. -20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia dobbelt, logisk niveau N-kanal MOSFET i et LFPAK56D hus (halvbro konfiguration), ved hjælp af Trench 9 Trench MOS teknologi. Dette produkt er designet og kvalificeret til AEC-Q101.
LFPAK56D hus med halvbro konfiguration muliggør
Reduceret kompleksitet i printlayout
Print-krympning gennem reduceret komponentstørrelse til 3-faset motordrev
Forbedret systemniveau Rth (j-amb) takket være optimeret pakkedesign
Lavere parasitisk selvinduktion for at understøtte højere effektivitet
Flademål kompatibilitet med LFPAK56D dobbelt hus
Advanced AEC-Q101 kvalitet Trench 9 silikone-teknologi
Lavt effekttab, høj effekttæthed
Overlegen lavine-ydelse
Normeret periodisk lavine
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 42 A 40 V LFPAK56D BUK9V13-40HX
- Nexperia N-Kanal 42 A 40 V LFPAK56D BUK9K13-40HX
- Nexperia N-Kanal 98 A 40 V LFPAK56D BUK7V4R2-40HX
- Nexperia N-Kanal 42 A 40 V LFPAK56D PSMN013-40VLDX
- Nexperia N-Kanal 98 A 40 V LFPAK56D PSMN4R2-40VSHX
- Nexperia N-Kanal 18 8 ben, LFPAK56D BUK9K25-40RAX
- Nexperia N-Kanal 40 A 60 V LFPAK56D BUK9K13-60RAX
- Nexperia N-Kanal 42 A 40 V LFPAK PSMN014-40HLDX
