Nexperia N-Kanal, MOSFET, 200 A 50 V, 4 ben, LFPAK56E PSMN1R5-50YLHX

Nexperia MOSFET er i LFPAK56E-hus med 200 A kontinuerlig strøm, gate-drev på logikniveau og N-kanal-forbedringsfunktion. ASFET er specielt velegnet til 36 V batteridrevne anvendelser, der kræver stærk lavinekapacitet, lineær tilstand pr.

LFPAK56E afdækket blyramme med lav belastning for ultimativ pålidelighed, optimal lodning og nem inspektion af loddestik
Kobberklemme og loddeflig til lav huselvinduktion og modstand og høj ID (maks.) mærkeværdi
Kvalificeret til 175 °C
Lavine-klassificeret, 100 % testet
Lav QG, QGD og QOSS for høj effektivitet, især ved højere switching-frekvenser
Superhurtigt skift med blød gendannelse af lysdiode til lavt spike og ringning, anbefales til design med lav EMI