Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK88
- RS-varenummer:
- 243-4876
- Producentens varenummer:
- PSMNR55-40SSHJ
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 49.526,00
(ekskl. moms)
Kr. 61.908,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 24,763 | Kr. 49.526,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-4876
- Producentens varenummer:
- PSMNR55-40SSHJ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | LFPAK88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype LFPAK88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-kanal forstærkningsmodus MOSFET i LFPAK88 hus med 500 A kontinuerlig strøm, standard niveau gate-drev. Næste Power S3-serie, der bruger Nexeria's unikke "Schottky Plus"-teknologi, leverer høj effektivitet og lav spiking-ydelse, der normalt forbindes med MOSFET'er med en integreret Schottky- eller Schottky-lignende diode, men uden problematisk høj lækstrøm. Next Power S3 er særligt velegnet til højeffektive anvendelser ved høje switching-frekvenser samt sikker og pålidelig kobling ved høj belastningsstrøm.
Kobberklemme og loddeflig til lav huselvinduktion og modstand og høj ID (maks.) mærkeværdi
Ideel erstatning for D2PAK og 10 x 12 mm blyfri pakketyper
Kvalificeret til 175 °C
Opfylder UL2595 krav til krybeafstand og frigang
Lavine-klassificeret, 100 % testet
Lav QG, QGD og QOSS for høj effektivitet, især ved højere switching-frekvenser
Superhurtigt skift med blød gendannelse af lysdiode til lavt spike og ringning, anbefales til design med lav EMI
Styring af børsteløs DC-motor
Synkron ensretter i højeffekt AC-til-DC anvendelser, f.eks. serverstrømforsyninger
Batteribeskyttelse og batteristyringssystemer (BMS)
ESikrings- og belastningsafbryder
Hotswap/styring af indkoblingsstrøm
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK88
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V LFPAK56E
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V SOT-23
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 0.41 A 50 V Forbedring LFPAK88 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 25 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type P-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 325 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM