Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK56E Nej PSMN3R5-80YSFX
- RS-varenummer:
- 243-4873
- Producentens varenummer:
- PSMN3R5-80YSFX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 133,14
(ekskl. moms)
Kr. 166,425
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.485 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 26,628 | Kr. 133,14 |
| 50 - 95 | Kr. 24,026 | Kr. 120,13 |
| 100 - 245 | Kr. 19,224 | Kr. 96,12 |
| 250 - 495 | Kr. 18,88 | Kr. 94,40 |
| 500 + | Kr. 15,888 | Kr. 79,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-4873
- Producentens varenummer:
- PSMN3R5-80YSFX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | LFPAK56E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype LFPAK56E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-kanal MOSFET i LFPAK56E-hus er et standard gate-drev, der er kvalificeret til 175 C og anbefales til industrielle og forbrugermæssige anvendelser.
Lav Qrr for højere effektivitet og lavere fortanding
Lav QG x RDSon FOM til højeffektive switching-applikationer
Stærk lavine-energiklasse (EAS)
Lavine-klassificeret og 100 % testet
Synkron ensretter i AC-DC og DC-DC
Primær sidekontakt i DC-DC
BLDC motorstyring
USB-PD-adaptere
Fuldbro- og halvbro-applikationer
Flyback og resonante topologier
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 150 A 80 V LFPAK56E PSMN3R5-80YSFX
- Nexperia N-Kanal 100 A 80 V LFPAK PSMN4R5-80YSFX
- Nexperia N-Kanal 160 A 80 V LFPAK PSMN3R3-80YSFX
- Nexperia N-Kanal 231 A 80 V LFPAK PSMN2R6-80YSFX
- Nexperia N-Kanal 120 A 80 V TO-220AB PSMN3R5-80PS,127
- Nexperia N-Kanal 120 A 40 V LFPAK PSMN3R5-40YSDX
- Nexperia N-Kanal 120 A 40 V LFPAK PSMN3R5-40YSBX
- Nexperia N-Kanal 70 A 25 V LFPAK PSMN3R5-25MLDX
