Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 241-9890
- Producentens varenummer:
- IAUC120N04S6L012ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 31,94
(ekskl. moms)
Kr. 39,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 14.882 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 15,97 | Kr. 31,94 |
| 20 - 48 | Kr. 13,20 | Kr. 26,40 |
| 50 - 98 | Kr. 12,38 | Kr. 24,76 |
| 100 - 198 | Kr. 11,63 | Kr. 23,26 |
| 200 + | Kr. 10,735 | Kr. 21,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9890
- Producentens varenummer:
- IAUC120N04S6L012ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TDSON | ||
Serie IAUC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS 6 effekttransistor er en N-kanal effekt MOSFET til brug i biler. Det er 100% Avalanche testet.
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 41 A 60 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 40 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TSDSON, IAUC AEC-Q101