Infineon 2 N-Kanal, MOSFET, 50 A 25 V, 8 Ben, TISON-8, BSG0810NDI
- RS-varenummer:
- 242-0301
- Producentens varenummer:
- BSG0810NDIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 51,46
(ekskl. moms)
Kr. 64,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 25,73 | Kr. 51,46 |
| 20 - 48 | Kr. 23,19 | Kr. 46,38 |
| 50 - 98 | Kr. 21,54 | Kr. 43,08 |
| 100 - 198 | Kr. 20,01 | Kr. 40,02 |
| 200 + | Kr. 18,55 | Kr. 37,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-0301
- Producentens varenummer:
- BSG0810NDIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | TISON-8 | |
| Serie | BSG0810NDI | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.25W | |
| Portkildespænding maks. | 16V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype TISON-8 | ||
Serie BSG0810NDI | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.25W | ||
Portkildespænding maks. 16V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power Block er en dobbelt asymmetrisk N-kanal OptiMOS 5 MOSFET. Den er monolitisk integreret Schottky-lignende diode.
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Blyfri blybelægning og i overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Infineon 2 N-Kanal 50 A 25 V TISON-8, BSG0810NDI
- Infineon Dual N-Kanal 18 A 25 V N PG-TISON-8, BSC
- Infineon 2 N-Kanal Dobbelt 40 A 25 V Forbedring TISON-8, OptiMOS
- Infineon Dual N-Kanal 17 A 30 V N PG-TISON-8, BSC
- Infineon N-Kanal Dobbelt 8 Ben, PG-TISON-8 1 Hulmontering
- Infineon 2 N-Kanal N-kanal MOSFET 50 A 25 V Forbedring Strømforsyningsblok 5x6, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 223 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon N-Kanal 186 A 25 V N TSDSON, BSZ