Infineon 2 N-Kanal N-kanal MOSFET, MOSFET, 50 A 25 V Forbedring, 8 Ben, Strømforsyningsblok 5x6, OptiMOS

RS-varenummer:: 215-2467
Producentens varenummer:: BSG0811NDATMA1
Brand:: Infineon

Infineon 2 N-Kanal N-kanal MOSFET, MOSFET, 50 A 25 V Forbedring, 8 Ben, Strømforsyningsblok 5x6, OptiMOS

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 99,82

(ekskl. moms)

Kr. 124,78

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

3.370 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 +	Kr. 9,982	Kr. 99,82

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 215-2467
Producentens varenummer:: BSG0811NDATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	50A
	Drain source spænding maks. Vds	25V
	Emballagetype	Strømforsyningsblok 5x6
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	3mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	8.4nC
	Portkildespænding maks.	4.5V
	Gennemgangsspænding Vf	0.84V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	6.25W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	N-kanal MOSFET
	Bredde	6.1mm
	Standarder/godkendelser	JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Længde	5.1mm
	Højde	1.1mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A
	Drain source spænding maks. Vds 25V
	Emballagetype Strømforsyningsblok 5x6
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 3mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC
	Portkildespænding maks. 4.5V
	Gennemgangsspænding Vf 0.84V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 6.25W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration N-kanal MOSFET
	Bredde 6.1mm
	Standarder/godkendelser JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Længde 5.1mm
	Højde 1.1mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSG0811NDATMA1

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 25 V drain source-spænding, 50 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSG0811NDATMA1

Denne MOSFET er en overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til omskiftning med høj strømstyrke i kompakte strømkonstruktioner. Den fungerer med en N-kanaltopologi med forbedringstilstand og indeholder to elementer på en enkelt chip til at betjene dobbelte omskifterfunktioner. Enheden er velegnet til anvendelser, der kræver en port på logisk niveau og lav modstand ved tænding i et lavspændingsmiljø, og den leveres i en Power Block 5x6-pakke til tætte kortlayouts.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav Rds(on) på 3 mΩ, der giver reducerede ledningstab
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm 50 A til høje strømkrav
• Logisk gate-niveau med Vgs-grænse på 4,5 V for kompatibilitet med direkte drev
• Typisk gate-ladning Qg 8,4 nC understøtter hurtige gate-overgange
• Nominel effekttab på 6,25 W for effektiv termisk håndtering
• Driftsområde -55 °C til 150 °C for bred temperaturtolerance

Anvendelser

• Velegnet til synkrone buck-omformere i strømforsyninger
• Ideel til server VRM og DC-DC-moduler med høj strømstyrke
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb i lavspændingssystemer
• Kan bruges til motor-driver-trin i kompakte styreenheder
• Velegnet til højeffektiv strømfordeling og belastningsswitching

Hvilke termiske grænser skal der tages hensyn til under printkortdesign?

Enheden kan fungere op til 150 °C forbindelsestemperatur og taber op til 6,25 W

varmeledere og et tilstrækkeligt kobberareal anbefales til at styre varmen.

Hvordan påvirker den dobbeltelementkonstruktion valg af layout?

To elementer pr. chip giver parallelle strømbaner, hvilket reducerer den individuelle matricebelastning og muliggør en snævrere placering for symmetrisk termisk fordeling.

Hvilke gate-drive-egenskaber kræves der for effektiv omskiftning?

Et gate-drev, der er kompatibelt med en maksimal gate-source-klassificering på 4,5 V og lavt krav til opladning på 8,4 nC, reducerer gate-drivertab og koblingsenergi.

Er der materialer eller lovgivningsmæssige standarder, der er relevante for udvælgelsen?

Komponenten er i overensstemmelse med JEDEC og RoHS og er fremstillet på IEC61249-2-21-substrat, hvilket angiver standardiserede materialer og blyfri krav.