Infineon N-Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 3 Ben, TO-263, IPA AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 49,07

(ekskl. moms)

Kr. 61,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 82 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 24,535Kr. 49,07
20 - 48Kr. 21,58Kr. 43,16
50 - 98Kr. 20,12Kr. 40,24
100 - 198Kr. 18,625Kr. 37,25
200 +Kr. 17,43Kr. 34,86

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
242-0991
Producentens varenummer:
IRF100S201
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

192A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-263

Serie

IPA

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.9mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon enkelt N-kanal effekt MOSFET har 192 A maksimal drænstrøm. Driftstemperaturen for MOSFET er -55 til 175 oC Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.

Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere

Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standard

Overflademonteret hus i industristandard

Høj mærkestrøm

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.