Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 3 Ben, TO-263, IPA AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 242-0991
- Producentens varenummer:
- IRF100S201
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 50,71
(ekskl. moms)
Kr. 63,388
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 408 enhed(er) afsendes fra 18. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 25,355 | Kr. 50,71 |
| 20 - 48 | Kr. 22,29 | Kr. 44,58 |
| 50 - 98 | Kr. 20,795 | Kr. 41,59 |
| 100 - 198 | Kr. 19,26 | Kr. 38,52 |
| 200 + | Kr. 17,99 | Kr. 35,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-0991
- Producentens varenummer:
- IRF100S201
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IPA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.9mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IPA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.9mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon enkelt N-kanal effekt MOSFET har 192 A maksimal drænstrøm. Driftstemperaturen for MOSFET er -55 til 175 oC Den er ideel til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed.
Optimeret til den bredeste tilgængelighed fra distributionspartnere
Produktkvalifikation i henhold til JEDEC-standard
Overflademonteret hus i industristandard
Høj mærkestrøm
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 192 A 40 V TO-263, IPA AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 11 A 40 V TO-263, IPA AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 14.1 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 10.1 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 9.9 A N IPA
- Infineon Type N-Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 16.8 A 600 V N IPA
- Infineon Type N-Kanal 13.8 A 600 V N IPA
