Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, MLPAK33
- RS-varenummer:
- 243-4881
- Producentens varenummer:
- PXP013-30QLJ
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 50,425
(ekskl. moms)
Kr. 63,025
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 01. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,017 | Kr. 50,43 |
| 50 - 75 | Kr. 1,975 | Kr. 49,38 |
| 100 - 225 | Kr. 1,508 | Kr. 37,70 |
| 250 - 975 | Kr. 1,484 | Kr. 37,10 |
| 1000 + | Kr. 0,916 | Kr. 22,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-4881
- Producentens varenummer:
- PXP013-30QLJ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | MLPAK33 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype MLPAK33 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia P-kanal forstærkende mode felteffekttransistor (FET) i et MLPAK33 (SOT8002) overflademonteret enhed (SMD) plasthus ved hjælp af Trench MOSFET-teknologi.
Lav tærskelspænding
Trench MOSFET-teknologi
Høj-side belastningsomskifter
Batteristyring
DC-til-DC-konvertering
Koblingskredsløb
Relaterede links
- Nexperia Type P-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej PXN010-30QLJ
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej
- Nexperia Type P-Kanal 22.2 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej PXP6R1-30QLJ
- Nexperia Type P-Kanal 17.7 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej PXP9R1-30QLJ
- Nexperia Type P-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej PXP011-20QXJ
- Nexperia P-Kanal 20 8 ben, MLPAK33 PXP6R7-30QLJ
- Nexperia Type P-Kanal 17.7 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej
