Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 243-9297
- Producentens varenummer:
- IRFH8318TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 14,95
(ekskl. moms)
Kr. 18,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 3.910 enhed(er) afsendes fra 23. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 2,99 | Kr. 14,95 |
| 50 - 120 | Kr. 2,662 | Kr. 13,31 |
| 125 - 245 | Kr. 2,484 | Kr. 12,42 |
| 250 - 495 | Kr. 2,318 | Kr. 11,59 |
| 500 + | Kr. 2,14 | Kr. 10,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9297
- Producentens varenummer:
- IRFH8318TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IRFH | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IRFH | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon N-kanal Power MOSFET IRFH8318TRPBF er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Lav termisk modstand til printkort (< 1,7 C/W)
Lavprofil (<1,2mm)
Benforbindelser iht. industristandard
Kompatibel med eksisterende teknikker til overflademontering
Overholder RoHS og indeholder ingen bly, ingen bromid og ingen halogen
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101 IRFH8324TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 11 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 11 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101 IRL100HS121
- Infineon Type N-Kanal 11 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101 IRL60HS118
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101 IPZ40N04S58R4ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101 IPZ40N04S55R4ATMA1
