Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 243-9302
- Producentens varenummer:
- IRL60HS118
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 9.012,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.264,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 2,253 | Kr. 9.012,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9302
- Producentens varenummer:
- IRL60HS118
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon IRL60HS118 N-kanal Power MOSFET fås i tre forskellige spændingsklasser (60 V, 80 V og 100 V), Infineons nye logikniveau power MOSFET'er er er særdeles velegnede til trådløs opladning, telekommunikation og adapteranvendelser. PQFN 2x2 huset er specielt velegnet til højhastigheds kobling og formfaktor vigtige anvendelser. Den giver højere effekttæthed og forbedret effektivitet samt betydelig pladsbesparelse.
Design med højere effekttæthed
Højere skiftefrekvens
Bruger OptiMOSTM5 chip
Reduceret antal dele, hvor der er 5V tilgængelige forbrugsvarer
Drives direkte fra mikrokontrollere (langsom omskiftning)
Reduktion af systemomkostninger
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 11 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 253 A 30 V PQFN, IQE AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 55 A 25 V PQFN, ISK AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, IAUT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 20 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring PQFN, IAUZ AEC-Q101