Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 243-9302
- Producentens varenummer:
- IRL60HS118
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 9.012,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.264,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 2,253 | Kr. 9.012,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9302
- Producentens varenummer:
- IRL60HS118
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IRFH | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IRFH | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon IRL60HS118 N-kanal Power MOSFET fås i tre forskellige spændingsklasser (60 V, 80 V og 100 V), Infineons nye logikniveau power MOSFET'er er er særdeles velegnede til trådløs opladning, telekommunikation og adapteranvendelser. PQFN 2x2 huset er specielt velegnet til højhastigheds kobling og formfaktor vigtige anvendelser. Den giver højere effekttæthed og forbedret effektivitet samt betydelig pladsbesparelse.
Design med højere effekttæthed
Højere skiftefrekvens
Bruger OptiMOSTM5 chip
Reduceret antal dele, hvor der er 5V tilgængelige forbrugsvarer
Drives direkte fra mikrokontrollere (langsom omskiftning)
Reduktion af systemomkostninger
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 18 DFN2020, HEXFET IRL60HS118
- Infineon N-Kanal 8 DFN2020, HEXFET IRFHS8242TRPBF
- Infineon N-Kanal 2 DFN2020, HEXFET IRFHS9351TRPBF
- Infineon N-Kanal 3 DFN2020, HEXFET IRLHS6376TRPBF
- Infineon N-Kanal 22 A 20 V HEXFET IRLHS6242TRPBF
- Infineon N-Kanal 3 DFN2020, HEXFET IRLHS6276TRPBF
- Infineon N-Kanal 11 A 100 V HEXFET IRL100HS121
- Infineon N-Kanal 12 6 ben HEXFET IRL80HS120
