Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 253 A 30 V, 8 Ben, PQFN, IQE AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 240-6641
- Producentens varenummer:
- IQE065N10NM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 34.495,00
(ekskl. moms)
Kr. 43.120,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 6,899 | Kr. 34.495,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-6641
- Producentens varenummer:
- IQE065N10NM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 253A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | IQE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.85mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.73V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 253A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie IQE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.85mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.73V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM 5 100V PQFN 3,3x3.3 kilde-down har 100 V og lav RDS(til) på 6,5 mOhm. Den har flere fordele, f.eks. øget termisk kapacitet, Advanced-effekttæthed eller forbedrede layoutmuligheder. Desuden er den højere effektivitet, de reducerede krav til aktiv køling og det effektive layout for termisk styring fordele på systemniveau.
Forbedret tab på printplader
Muliggør den højeste effekttæthed og ydeevne
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 253 A 30 V PQFN, IQE AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 205 A IQE
- Infineon Type N-Kanal 55 A 25 V PQFN, ISK AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 11 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V IQE
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, IAUT AEC-Q101