Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 205 A 40 V, TTFN, IQE Nej
- RS-varenummer:
- 258-3922
- Producentens varenummer:
- IQE013N04LM6CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 26.065,00
(ekskl. moms)
Kr. 32.580,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 5,213 | Kr. 26.065,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3922
- Producentens varenummer:
- IQE013N04LM6CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 205A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TTFN | |
| Serie | IQE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 205A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TTFN | ||
Serie IQE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS strømforsyning MOSFET 40V i en 3,3x3,3 PQFN Source-Down Centre-Gate pakke. Denne bedste i sin klasse effekt-MOSFET udfordrer status quo i effekttæthed og formfaktor i slutanvendelsen. Et mål i elværktøjsdesign er at minimere de interne begrænsninger i krav til printkortareal, hvilket muliggør et ergonomisk design og optimerer slutbrugeroplevelsen. Ved at flytte inverteren fra håndtaget ind i hovedet minimeres volumenet i elværktøjsmotorhuset samtidig med, at værktøjets moment holdes på et rimeligt højt niveau for hurtig og nem handling.
Høj strømstyrke
Mere effektiv udnyttelse af PBC-område
Højeste effekttæthed og ydeevne
Optimeret bundareal til MOSFET-parallelisering med centergate
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 205 A 40 V, PG-TTFN IQE013N04LM6CGATMA1
- Infineon N-Kanal 637 A 40 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQDH45N04LM6CGATMA1
- Infineon N-Kanal 610 A 40 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQD005N04NM6CGATMA1
- Infineon N-Kanal 205 A, PG-TSON IQE013N04LM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQE022N06LM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQE046N08LM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 273 A 100 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQD020N10NM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQDH88N06LM5CGATMA1
