Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 127 A 80 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 15,66

(ekskl. moms)

Kr. 19,58

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 15,66
10 - 24Kr. 13,12
25 - 99Kr. 8,14
100 - 499Kr. 7,96
500 +Kr. 7,79

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-896
Producentens varenummer:
IQE031N08LM6CGATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

127A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

9

Drain source modstand maks. Rds

3.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

33nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

0.75mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Længde

3.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
Infineon OptiMOS 6 effekttransistor er optimeret til højtydende SMPS med mærkespænding på 80 V. Den er halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21 og er i overensstemmelse med RoHS.

N-kanal

100% lavine testet

75 °C driftstemperatur

Blyfri blybelægning

Relaterede links