Infineon N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 127 A 80 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 762-896
- Producentens varenummer:
- IQE031N08LM6CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 15,66
(ekskl. moms)
Kr. 19,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,66 |
| 10 - 24 | Kr. 13,12 |
| 25 - 99 | Kr. 8,14 |
| 100 - 499 | Kr. 7,96 |
| 500 + | Kr. 7,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-896
- Producentens varenummer:
- IQE031N08LM6CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 127A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 127A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Højde 0.75mm | ||
Bredde 3.4mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 effekttransistor er optimeret til højtydende SMPS med mærkespænding på 80 V. Den er halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21 og er i overensstemmelse med RoHS.
N-kanal
100% lavine testet
75 °C driftstemperatur
Blyfri blybelægning
Relaterede links
- Infineon N-kanal-Kanal 127 A 80 V Forbedring PG-WHTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 789 A 25 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 447 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 323 A 80 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 637 A 40 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 610 A 40 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS