Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 610 A 40 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS Nej IQD005N04NM6CGATMA1

Infineon MOSFET har en OptiMOS 6 effekttransistor, der kombinerer fremragende ydeevne med robust pålidelighed, hvilket gør den til et TOP-valg til krævende anvendelser. Denne N-kanals MOSFET er designet til industrielle miljøer og giver en maksimal drain-kildespænding på 40 V og en imponerende kontinuerlig drain-strøm på op til 610 A. Denne halvlederenhed udmærker sig i termisk styring, hvilket gør den velegnet til indstillinger med høj temperatur og høj effekt, hvilket letter en længere levetid og ensartet ydeevne under belastning. Med en forpligtelse til miljøvenlighed er den RoHS-kompatibel og halogenfri, og den er i overensstemmelse med moderne miljøstandarder, samtidig med at den tilbyder overlegen teknisk kvalitet.

Enestående termisk modstand for pålidelighed