Infineon N-Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-944
- Producentens varenummer:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 284-944
- Producentens varenummer:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 447A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | PG-TTFN-9 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.86mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 447A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype PG-TTFN-9 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.86mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, som er en højtydende N-kanal MOSFET, der er designet til at give enestående effektivitet og pålidelighed til industrielle applikationer. Med avanceret halvlederteknologi giver denne komponent fremragende termisk styring og lav modstand ved tænding, hvilket gør den velegnet til strømkonverteringsløsninger. Med sin høje lavineenergimærkeværdi og strenge validering iht. JEDEC-standarder kan du stole på, at dette produkt opfylder strenge driftskrav og samtidig opretholder sikkerhed og holdbarhed.
Optimeret termisk modstand til køling
Kvalificeret til industriel pålidelighed
Pb-fri blybelægning for miljøvenlighed
Lave krav til gate-drive forenkler kredsløb
Robust design til høje afløbsstrømme
100% lavinetestet for pålidelighed
Kompakt pakke til nem integration
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 789 A 25 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 637 A 40 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 323 A 80 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 273 A 100 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 610 A 40 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 445 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS