Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS Nej IQDH88N06LM5CGATMA1
- RS-varenummer:
- 284-945
- Producentens varenummer:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 56,55
(ekskl. moms)
Kr. 70,688
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 28,275 | Kr. 56,55 |
| 20 - 198 | Kr. 25,47 | Kr. 50,94 |
| 200 - 998 | Kr. 23,485 | Kr. 46,97 |
| 1000 - 1998 | Kr. 21,765 | Kr. 43,53 |
| 2000 + | Kr. 19,485 | Kr. 38,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-945
- Producentens varenummer:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 447A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.86mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 447A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.86mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, som er en højtydende N-kanal MOSFET, der er designet til at give enestående effektivitet og pålidelighed til industrielle applikationer. Med avanceret halvlederteknologi giver denne komponent fremragende termisk styring og lav modstand ved tænding, hvilket gør den velegnet til strømkonverteringsløsninger. Med sin høje lavineenergimærkeværdi og strenge validering iht. JEDEC-standarder kan du stole på, at dette produkt opfylder strenge driftskrav og samtidig opretholder sikkerhed og holdbarhed.
Optimeret termisk modstand til køling
Kvalificeret til industriel pålidelighed
Pb-fri blybelægning for miljøvenlighed
Lave krav til gate-drive forenkler kredsløb
Robust design til høje afløbsstrømme
100% lavinetestet for pålidelighed
Kompakt pakke til nem integration
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQDH88N06LM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQE022N06LM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 445 A 60 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQD009N06NM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V PG-WHTFN-9, OptiMOS 5 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQE046N08LM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 273 A 100 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQD020N10NM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 637 A 40 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQDH45N04LM6CGATMA1
- Infineon N-Kanal 789 A 25 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQDH29NE2LM5CGATMA1