Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 447 A 60 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-945
- Producentens varenummer:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 58,49
(ekskl. moms)
Kr. 73,112
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 29,245 | Kr. 58,49 |
| 20 - 198 | Kr. 26,405 | Kr. 52,81 |
| 200 - 998 | Kr. 24,275 | Kr. 48,55 |
| 1000 - 1998 | Kr. 22,515 | Kr. 45,03 |
| 2000 + | Kr. 20,195 | Kr. 40,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-945
- Producentens varenummer:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 447A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.86mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 447A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.86mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, som er en højtydende N-kanal MOSFET, der er designet til at give enestående effektivitet og pålidelighed til industrielle applikationer. Med avanceret halvlederteknologi giver denne komponent fremragende termisk styring og lav modstand ved tænding, hvilket gør den velegnet til strømkonverteringsløsninger. Med sin høje lavineenergimærkeværdi og strenge validering iht. JEDEC-standarder kan du stole på, at dette produkt opfylder strenge driftskrav og samtidig opretholder sikkerhed og holdbarhed.
Optimeret termisk modstand til køling
Kvalificeret til industriel pålidelighed
Pb-fri blybelægning for miljøvenlighed
Lave krav til gate-drive forenkler kredsløb
Robust design til høje afløbsstrømme
100% lavinetestet for pålidelighed
Kompakt pakke til nem integration
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 447 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 445 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 789 A 25 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 637 A 40 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 323 A 80 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 610 A 40 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS