Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 445 A 60 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS Nej IQD009N06NM5CGATMA1
- RS-varenummer:
- 284-928
- Producentens varenummer:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 94.990,00
(ekskl. moms)
Kr. 118.740,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 03. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 18,998 | Kr. 94.990,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 284-928
- Producentens varenummer:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 445A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 445A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der er konstrueret til høj effektivitet i forskellige applikationer og giver stabil drift ved en maksimal spænding på 60 V. Denne N-kanals MOSFET har en lav on-modstand, som reducerer effekttabet betydeligt og sikrer, at dine designs opretholder optimal termisk styring, selv under udfordrende forhold. Med avancerede lavineegenskaber og omfattende test for pålidelighed passer denne enhed til industrielle anvendelser, der kræver fremragende termisk modstandsdygtighed og robust ydeevne. Den kompakte PG TTFN 9-emballage forbedrer den nemme integration i eksisterende designs, hvilket gør den til et valg for teknikere, der ønsker at forbedre deres systemer.
Meget lav modstand forbedrer effektiviteten
Forbedret termisk modstand for ydeevne
Optimeret til kontinuerlige og pulserende strømme
Omfattende lavinevurderinger for holdbarhed
Kompatibel med RoHS og halogenfri
Fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC-standarder
Betydelige besparelser på strømforbruget
Fleksibelt temperaturområde til forskellige miljøer
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 445 A 60 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQD009N06NM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 151 A 60 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQE022N06LM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 447 A 60 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQDH88N06LM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 445 A 60 V PG-WHTFN-9, OptiMOS 5 IQD009N06NM5CGSCATMA1
- Infineon N-Kanal 99 A 80 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQE046N08LM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 273 A 100 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQD020N10NM5CGATMA1
- Infineon N-Kanal 637 A 40 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQDH45N04LM6CGATMA1
- Infineon N-Kanal 789 A 25 V PG-TTFN-9, OptiMOS IQDH29NE2LM5CGATMA1
