Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS Nej IQD020N10NM5CGATMA1

Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
284-935
Producentens varenummer:
IQD020N10NM5CGATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

273A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

9

Drain source modstand maks. Rds

2.05mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

333W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der repræsenterer et betydeligt fremskridt inden for MOSFET-teknologi, der er skræddersyet til krævende industrielle anvendelser. Denne robuste transistor er designet til at levere fremragende ydeevne med fremragende termisk styring, hvilket gør den til et ideelt valg til systemer, der kræver effektiv energiomdannelse og styring. Med en nominel spænding på 100 V og en imponerende lav modstand giver dette produkt en forbedret effekthåndteringsevne, samtidig med at det opretholder et lavt energitab. Dens pålidelige ydeevne understøttes også af omfattende validering, som sikrer, at den fungerer under forskellige driftsforhold.

N-kanaldesign til effektiv omskiftning

Lav modstand minimerer strømtab

Ekstraordinær varmebestandighed forlænger levetiden

100% lavinetestet for pålidelighed

RoHS-kompatibel for miljøvenlighed

Halogenfrit materiale til miljøstandarder

Pålidelig i miljøer med høje temperaturer

Relaterede links