Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 273 A 100 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 284-934
- Producentens varenummer:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 284-934
- Producentens varenummer:
- IQD020N10NM5CGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 273A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 9 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.05mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 333W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 273A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 9 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.05mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 333W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 Power Transistor, der repræsenterer et betydeligt fremskridt inden for MOSFET-teknologi, der er skræddersyet til krævende industrielle anvendelser. Denne robuste transistor er designet til at levere fremragende ydeevne med fremragende termisk styring, hvilket gør den til et ideelt valg til systemer, der kræver effektiv energiomdannelse og styring. Med en nominel spænding på 100 V og en imponerende lav modstand giver dette produkt en forbedret effekthåndteringsevne, samtidig med at det opretholder et lavt energitab. Dens pålidelige ydeevne understøttes også af omfattende validering, som sikrer, at den fungerer under forskellige driftsforhold.
N-kanaldesign til effektiv omskiftning
Lav modstand minimerer strømtab
Ekstraordinær varmebestandighed forlænger levetiden
100% lavinetestet for pålidelighed
RoHS-kompatibel for miljøvenlighed
Halogenfrit materiale til miljøstandarder
Pålidelig i miljøer med høje temperaturer
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 273 A 100 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 151 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 447 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 445 A 60 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 789 A 25 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 637 A 40 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 323 A 80 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 610 A 40 V Forbedring PG-TTFN-9, OptiMOS
