Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Forbedring, 24 Ben, TSDSO, IQE Nej IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- RS-varenummer:
- 260-1073
- Producentens varenummer:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 41,22
(ekskl. moms)
Kr. 51,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.950 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 20,61 | Kr. 41,22 |
| 20 - 48 | Kr. 18,29 | Kr. 36,58 |
| 50 - 98 | Kr. 17,315 | Kr. 34,63 |
| 100 - 198 | Kr. 16,08 | Kr. 32,16 |
| 200 + | Kr. 14,85 | Kr. 29,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1073
- Producentens varenummer:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 310A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | TSDSO | |
| Serie | IQE | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 24 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype TSDSO | ||
Serie IQE | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 24 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er gør det muligt at tilslutte kildepotentialet til printkortet over den termiske pude, hvilket giver flere fordele, som f.eks. øget termisk kapacitet, avanceret effekttæthed eller forbedrede layoutmuligheder. Den har også de reducerede krav til aktiv køling og det effektive layout til termisk styring, som er fordele på systemniveau.
Aktiverer højeste effekttæthed og ydeevne
Fremragende termisk ydeevne
Optimerede layoutmuligheder
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 310 A 25 V Forbedring TSDSO, IQE Nej
- Infineon Type N-Kanal 310 A 25 V Forbedring WHSON, IQE Nej
- Infineon Type N-Kanal 310 A 25 V Forbedring WHSON, IQE Nej IQE006NE2LM5SCATMA1
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHTFN, IQE Nej
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHSON, IQE Nej
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHSON, IQE Nej IQE013N04LM6SCATMA1
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHTFN, IQE Nej IQE013N04LM6CGSCATMA1
- Infineon Type N-Kanal 205 A IQE Nej
