Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Forbedring, 8 Ben, WHSON, IQE
- RS-varenummer:
- 260-1075
- Producentens varenummer:
- IQE006NE2LM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 37,18
(ekskl. moms)
Kr. 46,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.984 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 18,59 | Kr. 37,18 |
| 20 - 48 | Kr. 16,53 | Kr. 33,06 |
| 50 - 98 | Kr. 15,635 | Kr. 31,27 |
| 100 - 198 | Kr. 14,51 | Kr. 29,02 |
| 200 + | Kr. 13,39 | Kr. 26,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1075
- Producentens varenummer:
- IQE006NE2LM5SCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 310A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | IQE | |
| Emballagetype | WHSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie IQE | ||
Emballagetype WHSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er gør det muligt at tilslutte kildepotentialet til printkortet over den termiske pude, hvilket giver flere fordele, som f.eks. øget termisk kapacitet, avanceret effekttæthed eller forbedrede layoutmuligheder. Den har også de reducerede krav til aktiv køling og det effektive layout til termisk styring, som er fordele på systemniveau.
Forbedret printkorttab
Aktiverer højeste effekttæthed og ydeevne
Fremragende termisk ydeevne
Optimerede layoutmuligheder
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 310 A 25 V Forbedring WHSON, IQE
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHSON, IQE
- Infineon Type N-Kanal 310 A 25 V Forbedring TSDSO, IQE
- Infineon Type N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHTFN, IQE
- Infineon Type N-Kanal 276 A 100 V Forbedring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Type N-Kanal 99 A 80 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 151 A 150 V Forbedring PG-WHSON-8, IQD0
- Infineon Type N-Kanal 132 A 60 V Forbedring PG-WHSON-8, OptiMOS
