Infineon N-Kanal, MOSFET, 310 A 25 V Forbedring, 24 Ben, TSDSO, IQE
- RS-varenummer:
- 260-1072
- Producentens varenummer:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 6000 enheder)*
Kr. 34.338,00
(ekskl. moms)
Kr. 42.924,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 6000 + | Kr. 5,723 | Kr. 34.338,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-1072
- Producentens varenummer:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 310A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | IQE | |
| Emballagetype | TSDSO | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 24 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.75mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 310A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie IQE | ||
Emballagetype TSDSO | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 24 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.75mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET'er gør det muligt at tilslutte kildepotentialet til printkortet over den termiske pude, hvilket giver flere fordele, som f.eks. øget termisk kapacitet, avanceret effekttæthed eller forbedrede layoutmuligheder. Den har også de reducerede krav til aktiv køling og det effektive layout til termisk styring, som er fordele på systemniveau.
Aktiverer højeste effekttæthed og ydeevne
Fremragende termisk ydeevne
Optimerede layoutmuligheder
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 310 A 25 V Forbedring TSDSO, IQE
- Infineon N-Kanal 310 A 25 V Forbedring WHSON, IQE
- Infineon N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHTFN, IQE
- Infineon N-Kanal 205 A 40 V Forbedring WHSON, IQE
- Infineon MOSFET 4 mA TSDSO-24
- Infineon MOSFET 1.4 A PG-TSDSO-24
- Infineon N-Kanal 205 A IQE
- Infineon N-Kanal 205 A 40 V IQE
