Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ

RS-varenummer:: 244-1567
Producentens varenummer:: BSZ065N06LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 17.065,00

(ekskl. moms)

Kr. 21.330,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

5.000 enhed(er) afsendes fra 17. juni 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 3,413	Kr. 17.065,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 244-1567
Producentens varenummer:: BSZ065N06LS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	212A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	SuperSO8 5 x 6
	Serie	BSZ
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.7mΩ
	Kanalform	N
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype SuperSO8 5 x 6
	Serie BSZ
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ
	Kanalform N
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSZ065N06LS5ATMA1

Infineon BSZ seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 212 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ065N06LS5ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonteret strømstyring i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser, der kræver betydelig kontinuerlig afløbsstrøm og effektiv ledning med lav fremadrettet spænding.

Egenskaber og fordele:

• 212 A kontinuerlig afløbsstrøm giver vedvarende høj strømkapacitet
• 0,7 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab for forbedret effektivitet
• 81 W maks. effekttab understøtter høje termiske belastninger
• 1,2 V fremadgående spænding reducerer spændingsfald under belastning
• 80 nC typisk gate-ladning muliggør hurtig skifteydeevne
• 20 V maks. gate-source-klassificering beskytter gate mod overspænding

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i effekttrin
• Ideel til halvbro- og H-brokonstruktioner til motordrev
• Anvendes til batteribeskyttelse og strømfordelingsmoduler
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan anvendes til kobling med høj effekt i industrielle styreenheder

Hvilket termisk område kan denne enhed tolerere under drift?

Den fungerer fra -55 °C op til +150 °C, så den kan bruges i miljøer med barske temperaturer.

Hvordan er komponenten pakket til printkortmontering?

Den leveres i en 8-benet SuperSO8 5x6-pakke til overflademontering til kompakt kortmontering.

Hvilke hensyn til gate-driver er der brug for til omskiftning?

Drevkredsløb skal give tilstrækkelig opladning til den typiske 80 nC gate-ladning for at opnå den tilsigtede skiftehastighed og overholde den maksimale Vgs-grænse på 20 V.

Hvilken type kanalledning giver den?

Det er en N-kanal-enhed, der er designet til forbedret strømgennemstrømning i switchingtopologier med lav side eller høj side.