Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V P, 8 Ben, PQFN, BSZ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 47,12

(ekskl. moms)

Kr. 58,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.660 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 9,424Kr. 47,12
50 - 120Kr. 7,824Kr. 39,12
125 - 245Kr. 7,36Kr. 36,80
250 - 495Kr. 6,882Kr. 34,41
500 +Kr. 6,314Kr. 31,57

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
250-0564
Producentens varenummer:
BSZ15DC02KDHXTMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

212A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PQFN

Serie

BSZ

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

P

Gennemgangsspænding Vf

1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon laver denne komplementære P+N kanal, Enhancement-tilstand. Den er lavine-klassificeret og halogenfri. Denne enhed er OptiMOS 2 + OptiMOS P 2 småsignal-transistor med Super Logic-niveau (2,5V normeret). Den har fælles afløb og er Avalanche-klassificeret. Driftstemperaturen er 175 grader C. Den er 100% blyfri, halogenfri.

Super Logic-niveau (2,5V normeret)

100 % blyfri

Relaterede links