Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ
- RS-varenummer:
- 241-9699
- Producentens varenummer:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 19,45
(ekskl. moms)
Kr. 24,312
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 9,725 | Kr. 19,45 |
| 10 - 18 | Kr. 9,20 | Kr. 18,40 |
| 20 - 48 | Kr. 8,38 | Kr. 16,76 |
| 50 - 98 | Kr. 7,445 | Kr. 14,89 |
| 100 + | Kr. 7,145 | Kr. 14,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9699
- Producentens varenummer:
- BSZ018NE2LSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 212A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which is Optimized for high performance Buck converter. 100 % avalanche-testet.
Monolithic integrated Schottky like diode
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N PQFN, BSZ
- Infineon Type P-Kanal 212 A 40 V P PQFN, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N TSDON-8 FL, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V, PQFN IRLH5034TRPBF
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ