Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 19,45

(ekskl. moms)

Kr. 24,312

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 9,725Kr. 19,45
10 - 18Kr. 9,20Kr. 18,40
20 - 48Kr. 8,38Kr. 16,76
50 - 98Kr. 7,445Kr. 14,89
100 +Kr. 7,145Kr. 14,29

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
241-9699
Producentens varenummer:
BSZ018NE2LSIATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

212A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PQFN

Serie

BSZ

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

The Infineon OptiMOS Power MOSFET is a N channel MOSFET which is Optimized for high performance Buck converter. 100 % avalanche-testet.

Monolithic integrated Schottky like diode

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links