Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ

RS-varenummer:: 243-9311
Producentens varenummer:: BSZ063N04LS6ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 14.720,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.400,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 20. oktober 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 2,944	Kr. 14.720,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 243-9311
Producentens varenummer:: BSZ063N04LS6ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	212A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	SuperSO8 5 x 6
	Serie	BSZ
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.7mΩ
	Kanalform	N
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype SuperSO8 5 x 6
	Serie BSZ
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ
	Kanalform N
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSZ063N04LS6ATMA1

Infineon BSZ seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 212 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ063N04LS6ATMA1

Denne MOSFET er en N-kanals effekttransistor, der er designet til kobling med høj strøm i kompakte overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsestemperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver lave ledningstab og betydelig kontinuerlig strømhåndtering i en lille pakke, samtidig med at den overholder RoHS-direktiver.

Egenskaber og fordele:

• 0,7 mΩ lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 212 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af kraftig strøm
• 81 W effekttab understøtter kobling med høj effekt
• 40 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsanvendelser
• 80 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig omskiftningskontrol
• 20 V gate-source-grænse understøtter standard gate-drive-spændinger

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i kompakte strømforsyninger
• Ideel til synkron ensretning i serverstrømskinner
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver robuste overflademonterede kontakter
• Kan bruges til batteristyringssystemer i højbelastningsmiljøer
• Velegnet til effekttrin, hvor lavt ledningstab er vigtigt

Hvilket monteringsformat bruger den til printkortmontering?

Den leveres i en 8-benet SuperSO8 5x6 SMD-pakke til overflademontering.

Hvilket temperaturområde kan den modstå i drift?

Den er normeret til drift mellem -55 °C og 175 °C uden ændring af specifikationerne.

Hvordan påvirker gate-drevet switching-ydeevnen?

Den typiske gate-ladning er 80 nC, hvilket bestemmer, hvilken drivstrøm der er nødvendig for den målte skiftehastighed.

Er den velegnet til krav til specifikationer i biler?

Den har ikke en standardbetegnelse for biler og bør vurderes i forhold til køretøjskvalitetsbehov.

Hvilken begrænsning skal designere overholde for gate-spænding?

Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå belastning på enheden.