Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 37,10

(ekskl. moms)

Kr. 46,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 7,42Kr. 37,10
50 - 120Kr. 6,388Kr. 31,94
125 - 245Kr. 5,998Kr. 29,99
250 - 495Kr. 5,55Kr. 27,75
500 +Kr. 5,116Kr. 25,58

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
243-9312
Producentens varenummer:
BSZ063N04LS6ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

212A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSZ

Emballagetype

SuperSO8 5 x 6

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Kanalform

N

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon BSZ seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 212 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ063N04LS6ATMA1


Denne MOSFET er en N-kanals effekttransistor, der er designet til kobling med høj strøm i kompakte overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt omgivelsestemperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver lave ledningstab og betydelig kontinuerlig strømhåndtering i en lille pakke, samtidig med at den overholder RoHS-direktiver.

Egenskaber og fordele:


• 0,7 mΩ lav modstand ved tænding reducerer ledningstab
• 212 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af kraftig strøm
• 81 W effekttab understøtter kobling med høj effekt
• 40 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsanvendelser
• 80 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig omskiftningskontrol
• 20 V gate-source-grænse understøtter standard gate-drive-spændinger

Anvendelser


• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i kompakte strømforsyninger
• Ideel til synkron ensretning i serverstrømskinner
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver robuste overflademonterede kontakter
• Kan bruges til batteristyringssystemer i højbelastningsmiljøer
• Velegnet til effekttrin, hvor lavt ledningstab er vigtigt

Hvilket monteringsformat bruger den til printkortmontering?


Den leveres i en 8-benet SuperSO8 5x6 SMD-pakke til overflademontering.

Hvilket temperaturområde kan den modstå i drift?


Den er normeret til drift mellem -55 °C og 175 °C uden ændring af specifikationerne.

Hvordan påvirker gate-drevet switching-ydeevnen?


Den typiske gate-ladning er 80 nC, hvilket bestemmer, hvilken drivstrøm der er nødvendig for den målte skiftehastighed.

Er den velegnet til krav til specifikationer i biler?


Den har ikke en standardbetegnelse for biler og bør vurderes i forhold til køretøjskvalitetsbehov.

Hvilken begrænsning skal designere overholde for gate-spænding?


Gate-source-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå belastning på enheden.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.