Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ040N06LS5ATMA1
- RS-varenummer:
- 241-9681
- Producentens varenummer:
- BSZ040N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 64,25
(ekskl. moms)
Kr. 80,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.910 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,85 | Kr. 64,25 |
| 50 - 120 | Kr. 11,684 | Kr. 58,42 |
| 125 - 245 | Kr. 10,906 | Kr. 54,53 |
| 250 - 495 | Kr. 10,158 | Kr. 50,79 |
| 500 + | Kr. 9,364 | Kr. 46,82 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9681
- Producentens varenummer:
- BSZ040N06LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 212A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel power MOSFET has 60 V drain source voltage (VDS) & 101 A drain current (ID). It's logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.
Optimized for high performance SMPS ,e.g. sync. Anbefalet
100 % avalanche-testet
Fremragende termisk modstand
, 4 (N-kanal)
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
Blyfri forgyldning
RoHScompliant
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ0901NSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ031NE2LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ075N08NS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ033NE2LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ065N06LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ063N04LS6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ017NE2LS5IATMA1