Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- RS-varenummer:
- 241-9679
- Producentens varenummer:
- BSZ017NE2LS5IATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 66,87
(ekskl. moms)
Kr. 83,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,374 | Kr. 66,87 |
| 50 - 120 | Kr. 11,774 | Kr. 58,87 |
| 125 - 245 | Kr. 11,07 | Kr. 55,35 |
| 250 - 495 | Kr. 10,292 | Kr. 51,46 |
| 500 + | Kr. 9,454 | Kr. 47,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9679
- Producentens varenummer:
- BSZ017NE2LS5IATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 212A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel power MOSFET has 25 V drain source voltage (VDS) & 134 A drain current (ID). It offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation. It has best-in-class on-state resistance and have broader use in desktop and server, high power density voltage regulator, etc.
Optimized for high performance buck converters
Monolithic integrated schottky like diode
Very low on-resistance RDS(on)@VGS = 4.5V
100 % avalanche-testet
, 4 (N-kanal)
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon N-Kanal 212 A 60 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon N-Kanal 212 A 40 V N PQFN, BSZ
- Infineon N-Kanal 212 A 40 V N TSDON-8 FL, BSZ
- Infineon Type P-Kanal 212 A 40 V P PQFN, BSZ
- Infineon N-Kanal 158 A 40 V N TSDSON, BSZ
- Infineon N-Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ