Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ075N08NS5ATMA1
- RS-varenummer:
- 241-9683
- Producentens varenummer:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 47,61
(ekskl. moms)
Kr. 59,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 14.955 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,522 | Kr. 47,61 |
| 50 - 120 | Kr. 8,588 | Kr. 42,94 |
| 125 - 245 | Kr. 8,004 | Kr. 40,02 |
| 250 - 495 | Kr. 7,436 | Kr. 37,18 |
| 500 + | Kr. 6,956 | Kr. 34,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9683
- Producentens varenummer:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 212A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel MOSFET has 80 V drain source voltage (VDS) & 73 A drain current (ID). It offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. regulator, etc. It is especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. Desuden kan disse enheder også benyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solenergi, lavspændingsdrev og adaptere.
Ideal for high frequency switching and sync. Anbefalet
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Fremragende gate-opladning x RDS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R RDS(on)
100 % avalanche-testet
N-kanal, normalt niveau
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Higher solder joint reliability with enlarged source interconnection
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ0901NSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ031NE2LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ040N06LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ033NE2LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ065N06LS5ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ063N04LS6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ Nej BSZ017NE2LS5IATMA1