Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- RS-varenummer:
- 241-9683
- Producentens varenummer:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 72,71
(ekskl. moms)
Kr. 90,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 14.155 enhed(er) afsendes fra 05. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,542 | Kr. 72,71 |
| 50 - 120 | Kr. 13,104 | Kr. 65,52 |
| 125 - 245 | Kr. 12,222 | Kr. 61,11 |
| 250 - 495 | Kr. 11,324 | Kr. 56,62 |
| 500 + | Kr. 10,606 | Kr. 53,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9683
- Producentens varenummer:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 212A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel MOSFET has 80 V drain source voltage (VDS) & 73 A drain current (ID). It offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. regulator, etc. It is especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. Desuden kan disse enheder også benyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solenergi, lavspændingsdrev og adaptere.
Ideal for high frequency switching and sync. Anbefalet
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Fremragende gate-opladning x RDS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R RDS(on)
100 % avalanche-testet
N-kanal, normalt niveau
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Higher solder joint reliability with enlarged source interconnection
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N PQFN, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N TSDON-8 FL, BSZ
- Infineon Type P-Kanal 212 A 40 V P PQFN, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 30 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 40 A 25 V N TSDSON, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 158 A 40 V N TSDSON, BSZ