Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ
- RS-varenummer:
- 241-9682
- Producentens varenummer:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*
Kr. 17.305,00
(ekskl. moms)
Kr. 21.630,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | Kr. 3,461 | Kr. 17.305,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9682
- Producentens varenummer:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 212A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel MOSFET has 80 V drain source voltage (VDS) & 73 A drain current (ID). It offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. regulator, etc. It is especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. Desuden kan disse enheder også benyttes i andre industrielle anvendelser som f.eks. solenergi, lavspændingsdrev og adaptere.
Ideal for high frequency switching and sync. Anbefalet
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Fremragende gate-opladning x RDS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R RDS(on)
100 % avalanche-testet
N-kanal, normalt niveau
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
Blyfri forgyldning
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Higher solder joint reliability with enlarged source interconnection