Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ

RS-varenummer:: 241-9682
Producentens varenummer:: BSZ075N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSZ

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 17.305,00

(ekskl. moms)

Kr. 21.630,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 10.000 enhed(er) afsendes fra 12. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 3,461	Kr. 17.305,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 241-9682
Producentens varenummer:: BSZ075N08NS5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	212A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	BSZ
	Emballagetype	SuperSO8 5 x 6
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.7mΩ
	Kanalform	N
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie BSZ
	Emballagetype SuperSO8 5 x 6
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ
	Kanalform N
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSZ075N08NS5ATMA1

Infineon BSZ seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 212 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSZ075N08NS5ATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanals halvlederenhed, der er beregnet til koblings- og strømreguleringsroller i industrielle og kommercielle elektroniske systemer. Den er designet til at fungere over et bredt temperaturområde og understøtter overflademonteret montering i kompakte huse, hvilket giver lave ledningstab og effektiv omskiftning til krævende strømforsyningsanvendelser.

Egenskaber og fordele:

• Meget lav modstand ved tænding reducerer ledningstab ved tunge belastninger
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm understøtter en betydelig strømgennemstrømning
• 40 V drain-source-klassificering muliggør moderate spændingstrin
• 81 W tab muliggør betydelig termisk belastningskapacitet
• 80 nC typisk gate-opladning understøtter beslutninger om gate-drive-design
• 20 V gate-tolerance giver fleksibilitet ved valg af drevspænding

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-omformersteder med høj strømstyrke
• Ideel til halvbroben til motordrev i kraftelektronik
• Anvendes til synkron ensretning i strømforsyninger
• Kan bruges til batteristyring og distributionssystemer
• Velegnet til koblingselementer i server-strømskinner

Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under drift?

Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til +150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med bredt temperaturområde.

Hvordan påvirker pakken valg af printkortlayout?

SuperSO8 5x6-pakken til overflademontering kræver termisk planlægning og fodaftryk til styring af varme- og strømbaner på kortet.

Hvilke elektriske egenskaber dikterer ledningseffektiviteten?

Den maksimale drain-source-modstand på 0,7 mΩ påvirker ledningstab direkte ved høje strømme.

Hvordan påvirker gate-opladning switching-ydeevnen?

Den typiske portladning på 80 nC bestemmer hensyn til portdrevenergi og koblingshastighed.

Er der miljømæssige eller lovgivningsmæssige begrænsninger, der skal overvejes?

Komponenten opfylder RoHS-kravene, der begrænser visse farlige stoffer i monteringen.