DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 12 V Forbedring, 3 Ben, SC-59, DMN AEC-Q101 DMN1019USNQ-7
- RS-varenummer:
- 244-1912
- Producentens varenummer:
- DMN1019USNQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 69,725
(ekskl. moms)
Kr. 87,15
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.675 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,789 | Kr. 69,73 |
| 50 - 75 | Kr. 2,732 | Kr. 68,30 |
| 100 - 225 | Kr. 2,017 | Kr. 50,43 |
| 250 - 975 | Kr. 1,966 | Kr. 49,15 |
| 1000 + | Kr. 1,918 | Kr. 47,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-1912
- Producentens varenummer:
- DMN1019USNQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | SC-59 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50.6nC | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.1mm | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Højde | 1.3mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype SC-59 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50.6nC | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.1mm | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Højde 1.3mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til brug i biler. Den er kvalificeret til AEC-Q101, understøttet af en PPAP og er ideel til brug i belastningsafbryder, dc til dc-konvertere, strømstyringsfunktioner.
Lav aktiv modstand
ESD-beskyttet låge
Helt blyfri og fuldt RoHS-kompatibel
Grøn enhed uden halogen og antimon
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 11 A 12 V Forbedring SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 11 A 12 V Forbedring SC-59, DMN AEC-Q101 DMN1019USN-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.1 A 30 V Forbedring SC-59, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V SC-59 AEC-Q101 DMN1019USNQ-13
- DiodesZetex Type N-Kanal 5.1 A 30 V Forbedring SC-59, DMN AEC-Q101 DMN3070SSN-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V SC-59 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 3.1 A 20 V Forbedring SC-70, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 380 mA 30 V Forbedring SC-89, DMN AEC-Q101