DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Forbedring, 8 Ben, PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-1924
- Producentens varenummer:
- DMP27M1UPSW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 51,475
(ekskl. moms)
Kr. 64,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.375 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,059 | Kr. 51,48 |
| 50 - 75 | Kr. 2,002 | Kr. 50,05 |
| 100 - 225 | Kr. 1,954 | Kr. 48,85 |
| 250 + | Kr. 1,906 | Kr. 47,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-1924
- Producentens varenummer:
- DMP27M1UPSW-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | PowerDI5060-8 | |
| Serie | DMP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 123nC | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.73W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.4mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype PowerDI5060-8 | ||
Serie DMP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 123nC | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.73W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.4mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex MOSFET er designet til at minimere ON-state-modstanden og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring og belastningsafbryder.
Termisk effektivt hus til køligere anvendelser
Høj konverteringseffektivitet
Lav indgangskapacitet
Helt blyfri og fuldt RoHS-kompatibel
Grøn enhed uden halogen og antimon
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, PowerDI5060-8 AEC-Q101 DMPH33M8SPSW-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, PowerDI5060-8 AEC-Q101 DMP3011SPSW-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101 DMP3021SPSW-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101 DMPH33M8SPSWQ-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 21 A 30 V Forbedring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
