Infineon N-Kanal, MOSFET, 192 A 75 V, 3 Ben, TO-247, IRF AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-2930
- Producentens varenummer:
- IRF300P227
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 244-2930
- Producentens varenummer:
- IRF300P227
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | IRF | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie IRF | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon IRF300P227 kvalifikationsrapporten beskriver produktets egenskaber med hensyn til kvalitet og pålidelighed. Udvælgelsen af kvalifikationsstikprøven blev foretaget på produktionsslots, som blev fremstillet og testet på standardproduktionsprocesser og opfylder de definerede krav. Resultaterne af kvalifikationsprøvningen for disse produkter som beskrevet i dette dokument er baseret på JEDEC for målansøgninger og kan henvise til eksisterende kvalifikationsresultater for lignende produkter. En sådan henvisning er begrundet i produkternes strukturelle lighed.
Forbedret port, lavine og dynamisk dv/dt robusthed
Fuldt karakteriseret kapacitans og Avalanche SOA
Forbedret funktion for husdiode dv/dt og di/dt
Blyfri
I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 192 A 75 V TO-247, IRF AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 52 A 75 V TO-247, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 75 V TO-247, IPW AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 192 A 40 V PQFN, IRFH AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 75 A 200 V HEXFET
- Infineon N-Kanal 192 A 40 V TO-263, IPA AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 52 A 75 V N TO-247, IMW
- Infineon N-Kanal 225 A 75 V N TO-247, IMZA